近日，西部数据宣布，与合作伙伴铠侠联合研发的第六代162层3D闪存技术正式发布，这也意味着3D闪存技术取得了进一步突破。
据悉，第六代3D闪存技术采用超越传统八层交错式存储孔阵列的架构，其横向单元阵列密度比第五代技术提高了约10%。与112层堆叠技术相比，这种横向扩展技术上的提升，结合162层堆叠式垂直存储器，能够使晶圆尺寸减小约40%，从而优化成本。
西部数据与铠侠团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作，与上一代产品相比，程序性能可提高近2.4倍，读取延迟减少约10%，I/O性能也提高约66%，使得下一代接口能够满足不断增长的对更高传输速率的需求。
总体而言，与上一代产品相比，新的3D闪存技术降低了单位成本，并使每个晶圆的制造位增加了高达70%。
