新浪科技

国产长鑫内存进步神速:19nm DDR4芯片产能翻番、17nm年底量产

原标题:国产长鑫内存进步神速:19nm DDR4芯片产能翻番、17nm年底量产

合肥长鑫去年9月份正式量产国产10nm级(10nm~19nm)DDR4内存芯片(8Gb),据业内最新消息,长鑫的这款19nm晶圆芯片的产能将在本季度末从2万片/月提高到4万片/月。

不仅如此,长鑫的17nm工艺芯片如期推进,年底前将大规模量产。

长鑫目前拥有一座12英寸晶圆厂,总产能12万片/月。

值得一提的是,本周,长鑫与Rambus(中文名蓝铂世)达成协议,获得了后者的DRAM技术授权。更早些时候,长鑫通过与WiLAN全资子公司Polaris Innovations达成协议,获得了奇梦达一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据。

据悉,长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售。

加载中...