原标题：三星第六代 V-NAND 堆栈层数100+的奥秘所在
随着闪存原厂工艺技术的不断升级迭代，闪存原片的堆栈层数开始不断提高，目前韩系存储厂商在这一方面的表现尤为突出。早在去年我们就已经见到了采用9X层堆栈技术的三星970 EVO Plus NVMe SSD。
今年6月三星推出了第六代V-NAND（1xx层256Gb 3D TLC NAND），8月份开始批量生产应用到了250GB SATA SSD，到今年底已经实现了第六代1xx层512Gb TLC 3D NAND的量产。
100+层堆栈如何实现
从9x层升级到100+层堆栈，主要是应用到了三星电子有的“通道孔蚀刻”技术，与9x堆栈架构相比大约增加了约 40% 单元。这是通过构建由 136 层组成的导电模具堆栈，然后垂直自上而下穿过圆柱孔，形成统一的 3D 电荷撷取闪存 (CTF) 单元实现的。
除此之外，由于打造 256Gb 芯片密度所需的通道孔数量已从上一代产品的超 9.3 亿降低到了现在的 6.7 亿孔，所以加工程序大大减少，生产效率得以提高超过20%。
性能更高 能耗更低
由于固态硬盘的底层架构原因，随着每个单元区的模具堆栈高度增加的同时，NAND 闪存芯片更容易发生错误和读取延迟的现象。为克服这些限制，三星100+层堆栈闪存芯片采用了速度优化的电路设计，使其可实现最快的数据传输速度，与上一代产品相比，性能提高 10% 以上，而能耗降低 15% ，可以说是很好的迎合了未来硬件的发展趋势。
应用更广
得益于极高的性能和低功耗以及极高的生产效率等因素，三星最新一代的3D V-NAND产品可以在保证优秀性能的基础上保证量产效率。所以可以应用在消费级和企业级服务器中之外，还将会大范围应用在汽车市场等智能终端设备中。
写在最后
目前各大闪存原厂在100层+的堆栈技术研发上总体进度大致相当，不过也已经有更大容量版本的128层4D NAND开始量产。当然除了大容量以外，NAND Flash存储单元间距、功耗、整体性能、投资效益等都是重要的影响因素，相信在物联网、人工智能等带来的大数据存储需求下，容量更大、性能更强的闪存产品会不断问世。
三星970 EVO Plus NVMe M.2（1TB）
[经销商] 京东商城
[产品售价] 1939元
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