三星退出硬盘市场 近期硬盘内存新闻

泡泡网
发布日期:2011年04月20日 作者:互联网整理 编辑:宋阳
第1页:三星电子将退出硬盘业务 希捷欲购买
泡泡网硬盘频道4月20日 韩国三星电子计划卖掉它的HDD业务,这个公司向专注于其它的存储产品(闪存)。
三星计划以15亿美金出让这一业务,HDD硬盘领导者希捷公司有意抢先购买。由于平板和上网本等产品的上市,硬盘行业面临的压力越来越大,很多产品都是用SSD替代1.8寸的传统硬盘。
三星此次退出硬盘业务,意味着硬盘产业将迎来两家独大的格局。
第2页:希捷内接式3TB硬盘Barracuda XT开售!
希捷(Seagate)终于选择将3TB硬盘推向零售市场,最新的3TB Barracuda XT 7200转硬盘是拥有64MB的快取,支持STAT 6Gb界面,并采用512KB扇区标准的产品。
同时,为了让不支持2.1TB以上容量的旧式BIOS的主板,以及Windows XP系统也能够使用3TB容量,希捷还推出了Seagate DiscWizard软件供消费者下载。
第3页:冠希哥必备!东芝推出新款自保护硬盘
自保护硬盘(Self-Encrypting Disk,SED)已经不是什么新鲜的玩意儿,但是各种新型的监测技术和保护措施却在不断更新中。日前东芝推出了一个新系列的加密式自保护硬盘。当你的笔记本连接到一个未知的网络节点或网络服务器时,东芝Wipe Technology将会启用,它会快速删除你的保密数据,或者在系统断电以及硬盘脱离系统的情况下,能够将加密数据彻底安全的删除。
怎么样,神奇吧。可惜这种硬盘并不针对普通用户发售。东芝将会和原始的设备制造商合作,帮助用户自定义触发启动自保护的条件。目前这种笔记本硬盘包含五种规格——160GB、250GB、320GB、500GB以及640GB,它们的转速高达7200转。这一系列的加密产品将在6月份下旬大规模生产。
第4页:买西数笔记本硬盘 140GB容量免费赠送
或许购物时代缺斤缺两的时代过去了,这不,买西部数据硬盘可以免费赠送140GB硬盘容量,西部数据对此却异常低调,确实让人捉摸不透。
一位网名“Scurbox”的美国用户近日在圣地亚哥的Fry's Electronics购买了一块容量500GB的西部数据2.5寸蓝盘,但是打开包装后却赫然发现里边放着的是640GB型号。
当然了,我们的第一反应肯定是包装有误,但是盒子里还有张纸条:“这个盒子里包装的高性能西数硬盘有640GB容量,比你购买的多了140GB!每一块屡获殊荣的西数硬盘都能给你带来最佳的性能、可靠性和价值。”
很显然,这是西部数据的一份神秘礼物,但不知道究竟涉及哪些产品、哪些地区,西数官方也对此没有任何宣传。
第5页:尔必达发布30nm 4Gb DDR2 Mobile RAM
尽管受到地震影响,一些工厂出现停工现象,但日本存储芯片大厂尔必达的新品发布进程并未受到影响。今天,他们发布了针对智能手机、平板机的新款移动存储芯片产品,基于30nm工艺的DDR2 Mobile-RAM。
新款Mobile-RAM单颗容量为4Gb(512MB),频率DDR2 1066MHz,电压1.2V。相比40nm 2Gb产品,新品30nm 4Gb颗粒的功耗下降了30%,占用PCB空间也随之下降。
新品4Gb 30nm DDR2 Mobile-RAM将使用PoP或FBGA封装,也可向客户提供裸版芯片用于MCP多芯片封装。MCP形式下可提供4Gb、8Gb、16Gb容量。预计该芯片本月内可出货样品,6月份投入量产。
第6页:24nm工艺 东芝发布SmartNAND系列产品
虽然各个日本企业在地震中都有所损失,但仍然不能终止他们前进的脚步。日前,东芝正式发布了基于24nm制程技术的SmartNAND系列产品,进一步扩大了其NAND闪存的产品线。
东芝SmartNAND系列闪存芯片采用了24nm制程工艺,使用传统NAND接口,并在内部封装了ECC错误校验控制芯片,可有效降低ECC校验时造成的系统负担。
该系列闪存芯片包含5种容量,分别为4/8/16/32/64GB,其中4/8/16GB的拥有TSOP和LGA两种封装,而32/64GB的仅有LGA封装产品。SmartNAND系列闪存芯片将在今年第二季度起开始量产并供应市场,有消息称将会应用在苹果下一代智能手机iPhone 5上。
第7页:比DDR3快80%!Hynix完成DDR4内存开发
三星电子抢先行动整整三个月之后,另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。
海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒,以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条,支持错误校验功能,均采用先进的30nm级别工艺制造,完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。
海力士DDR4 DRAM内存颗粒的运行速度高达2400MHz,比目前主流的DDR3-1333快了整整80%,也比三星DDR4快了266MHz,同时运行电压仅有1.2V,64-bit I/O接口下数据传输带宽高达19.2GB/s。
海力士计划2012年下半年开始批量生产这种高性能DDR4内存,主要提供给微型服务器(micro server)市场,暂无消费级产品规划。
市调机构iSuppli认为,DDR4 DRAM在整个内存市场上的份额2013年约为5%,2015年即可超过50%成为主流,同时DDR3 DRAM内存在2012年达到71%的份额高峰,2014年就会迅速滑落到49%。■